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प्रकारः

सीरीज

मॉडल:

बिब-जेएचडी

तापमान सीमाः

- 40 ~ +125°C

प्रतिबाधाः

50Ω

आवृत्ति सीमाः

0-4 गीगाहर्ट्ज़

वोल्टेज का सामना करनाः

≥ 1000v

दर वर्तमानः

≥ 5a

संपर्क प्रतिरोधः

आंतरिक कंडक्टरः ≤ 5mΩ

इन्सुलेशन प्रतिरोधः

≥ 5000mΩ

अधिकतम संचरण शक्तिः

100W @ 2.7GHz @ 85°C

वोल्टेज स्थिर तरंग अनुपात (vswr):

≤ 1.15 (डीसी - 3 गीगाहर्ट्ज)

प्रलय

≤ 1.25 (3 - 4 गीगाहर्ट्ज)

उपयोगः

संचार उपकरण, माइक्रोवेव उपकरण

डूabयहः

≥ 500 बार

संपर्क दबावः

≥ 1n

अक्षीय सहिष्णुता:

± 1.0 मिमी

रेडियल सहिष्णुताः

± 0.5 मिमी

प्लग और सीट फिट डालने का नुकसान db:

≤ 0.2db @2ghz; 0.4db @4ghz या उससे कम

प्रलय

सामग्री और कोटिंगः

टुकड़ा भागः

आधार सामग्री

पट्टिका

टर्मिनल:

बेरीलियम कांस्य qbe2

d. ni1.27 au0.. 38 (प्रभावी संपर्क क्षेत्र)

इन्सुलेटर:

फ्लोरोपॉलिमर

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